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Dawon Kahng
MOSFET
US Patent No. 3,102,230
Inducted in 2009
Born
4, 1931
Died
13, 1992
Dawon Kahng was an inventor Ofthe first practical field-effect transistor
{
device that controls electronic signals by switching them on or off or
May
May
한국이 낳은 세계적인 반도체 물리학자인 강대원 박사는 1931년 5월 4일 서울에서 태어났습니다. 그는 1955년에 서울대학교 물리학과를 졸업하고, 미국 오하이오 주립대학교 전자공학과에서 1956년에 석사 및 1959년에 박사학위를 취득하였습니다.
그 후, 강대원 박사는 당시 세계 최고 연구소인 Bell Telephone Laboratories(현재, AT&T Bell Laboratories)에 입사하여 1960년에 트랜지스터 모스펫(MOS-FET)을 개발하였습니다. 모스펫은 세계 최초의 반도체인 BJT(Bipolar Junction Transistor)와는 달리 반도체를 고집적 및 양산이 가능한 구조로 오늘날 인텔의 CPU나 SK하이닉스, 삼성전자의 D램 등의 기초 소자로 활용 되고 있습니다.
또한 모스펫은 과거 진공관과 트랜지스터로 대표되는 초기 전자회로 시대를 뛰어넘어 IC시대(집적회로)로 발전하는데 가장 기초적이고 획기적인 발명품으로 인정을 받고 있으며, 현재 상용화 되고 있는 모든 디지털 전자회로의 토대가 되고 있습니다. 2009년, 그 공로를 인정받은 강대원 박사는 토마스 에디슨을 비롯해 라이트 형제, 노벨 등이 이름을 올린 미국 상무부 산하 특허청의 ‘발명가 명예의 전당(National Inventors Hall of Fame)’에 나란히 이름을 올리게 되었습니다.
또한 강대원 박사는 상대성 이론의 알버트 아인슈타인, 양자 우주론의 스티븐 호킹 등이 수상했던 프랭클린 연구소에서 물리분야에 수여하는 ‘스튜어트 밸런타인 메달’을 1975년 수상하였고, 1986년에는 오하이오 주립대학교 공과대학 ‘자랑스런 졸업생상(Distinguishe Alumni Awards)’을 수상하는 등의 미국 과학계의 주목을 한 몸에 받았습니다. 180여 년 동안 프랭클린 메달의 수상자 2000여명 중 105명이 107개의 노벨상을 받았다는 점만을 보더라도 프랭클린 연구소의 상은 강대원 박사의 연구 성과가 얼마나 의미 있는 것인지 가늠할 수 있을 것입니다.
한국인으로는 최초로 국제전기전자기술자협회(IEEE)와 Bell Telephone Laboratories의 Fellow였던 강대원 박사는 낸드플래시의 플로팅 게이트(Floating Gate) 메모리 셀, EL(전계발광) 분야에서 중요한 기여를 하였으며, 35개 이상의 논문, 책의 저자 혹은 공동저자로 활동했을 뿐만 아니라 22개의 미국 특허를 가지고 있습니다.
1988년 Bell Telephone Laboratories에서 은퇴한 후, 강대원 박사는 컴퓨터와 커뮤니케이션 기술에 대해 장기적인 기초연구를 수행하기 위해 설립된 미국 NEC 연구소의 창립 사장으로 취임하였습니다. 그러나 1992년 5월, 학술대회를 마치고 뉴저지로 돌아가던 길에 대동맥류 파열로 공항에서 쓰러져 수술하던 중 후유증으로 향년 61세를 일기로 타계하였습니다. 유족으로는 부인 강영희씨와 다섯 명의 자녀가 있었습니다.
반도체 산업의 패러다임을 바꾸신 분
