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세계 최고속 메모리, 초당 250
억 비트 쓰기
현존 기술보다
10,000배 빨라
PoX 기술; Al 하드웨어의 저장 용량 한계로 인한 성능
병목 현상 해결의 열쇠 돌까
카이프 사이크(Kaif Shaikh)
최종 업데이트: 2025년 4월 17일 오전 9시
29분 (EST)
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SRAM의 속도와 플래시 메모리의 데이터 유지 능력올 결합한 이 소자는 Al
의 엄청난 대역쪽 및 전력 요구 사항울 충족시a다 (이미지논 이해틀 돕기
위한 예시임)
중국 푸단대학교 연구되이 억대 보고된 반도체 저장
장치 중 가장 빠른 비휘발성 플래시 메모리; 일명
Po
X(픽실 온 액스 Pixel-on-X)’틀 개발있다: 이 메모리
눈 단일 비트틀 400피코초(ps, 1조 분의 0.4초) 만에
프로그래망할 수 잇는데, 이느 초당 약 250억 회의 연
산 속도에 해당하다. 오늘 네이처(Nature)지에 발
표된 이 연구 결과는 비퀴발성 메모리지 이전까지 가
장 빠른 취발성 메모리만의 영역이없던 속도 영역으로
끌어올렉으며; 데이터 집약적인 Al 하드웨어의 새로운
기준점올 제시한다.
경이로운 속도 장벽 돌파
중국 개무섭네 ㄷㄷㄷㄷ 저런 걸 어케 만들었냐 초격차 보소
